SPW11N80C3FKSA1

SPW11N80C3FKSA1 - Infineon Technologies

Número de pieza
SPW11N80C3FKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
45735 pcs
Precio de referencia
USD 3.6/pcs
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SPW11N80C3FKSA1 Descripción detallada

Número de pieza SPW11N80C3FKSA1
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 680µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 85nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 100V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 156W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO247-3
Paquete / caja TO-247-3
Peso -
País de origen -

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