SPD04N50C3BTMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza: SPD04N50C3BTMA1
Fabricante: Infineon Technologies
Breve descripción: MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza	SPD04N50C3BTMA1
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	560V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	950 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 200µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	470pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO252-3
Paquete / caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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