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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - IGBT - Simple › IRG7CH35UEF
IRG7CH35UEF

IRG7CH35UEF - Infineon Technologies

Número de pieza
IRG7CH35UEF
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
IRG7CH35UEF Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
IRG7CH35UEF.pdf
Categoría
Transistores - IGBT - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
4280 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
Nuestro precio
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IRG7CH35UEF Descripción detallada

Número de pieza IRG7CH35UEF
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de IGBT -
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) -
Corriente - colector pulsado (Icm) -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 5A
Potencia - Max -
Conmutación de energía -
Tipo de entrada Standard
Cargo de puerta 85nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C 30ns/160ns
Condición de prueba 600V, 20A, 10 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr) -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja Die
Paquete de dispositivo del proveedor Die
Peso -
País de origen -

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