IRFU024NPBF - Infineon Technologies

Número de pieza	IRFU024NPBF
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	17A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	370pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	75 mOhm @ 10A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	IPAK (TO-251)
Paquete / caja	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
IRFU010	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 50V 8.2A I-PAK	Detalles
IRFU014	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK	Detalles
IRFU014PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK	Detalles
IRFU020	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK	Detalles
IRFU020PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK	Detalles
IRFU024	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK	Detalles
IRFU024NPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK	Detalles
IRFU024NPBF/IRFU024PBF	IR	IRFU024NPBF/IRFU024PBF IR TO-251 New Original Stocks	Detalles
IRFU024PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK	Detalles
IRFU1010Z	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK	Detalles