IRFR1010Z - Infineon Technologies

Número de pieza	IRFR1010Z
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	42A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	95nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2840pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 mOhm @ 42A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	D-Pak
Paquete / caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
IRF	VISHAY	Inductors Epoxy Conformal Coated Uniform Roll Coated	Detalles
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IRF-24	VISHAY	Inductors Epoxy Conformal Coated, Axial Leaded	Detalles
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IRF-36_06	VISHAY	Inductors	Detalles
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IRF01BH100J	Vishay Dale	IRF-1 10 5 B08	Detalles
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