IRFHM8363TR2PBF - Infineon Technologies

Número de pieza: IRFHM8363TR2PBF
Fabricante: Infineon Technologies
Breve descripción: MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza	IRFHM8363TR2PBF
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1165pF @ 10V
Potencia - Max	2.7W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	8-PowerVDFN
Paquete de dispositivo del proveedor	8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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