Número de pieza | IRF9310PBF |
---|---|
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 20A (Tc) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 100µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 165nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5250pF @ 15V |
Vgs (Max) | ±20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 2.5W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 20A, 10V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SO |
Paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Peso | - |
País de origen | - |