IRF8513PBF

IRF8513PBF - Infineon Technologies

Número de pieza
IRF8513PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
4477 pcs
Precio de referencia
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IRF8513PBF Descripción detallada

Número de pieza IRF8513PBF
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 8A, 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 766pF @ 15V
Potencia - Max 1.5W, 2.4W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SO
Peso -
País de origen -

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