| Número de pieza | IRF6710S2TR1PBF |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 12A (Ta), 37A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 25µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1190pF @ 13V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.8W (Ta), 15W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9 mOhm @ 12A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DIRECTFET S1 |
| Paquete / caja | DirectFET™ Isometric S1 |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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IRF6702M2DTR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET | Detalles |
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