IRF40B207 - Infineon Technologies

Número de pieza	IRF40B207
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	95A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 50µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	68nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2110pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 57A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220AB
Paquete / caja	TO-220-3
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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