IPS060N03LGBKMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza: IPS060N03LGBKMA1
Fabricante: Infineon Technologies
Breve descripción: MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO251-3
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza	IPS060N03LGBKMA1
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	50A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 15V
Vgs (Max)	-
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 mOhm @ 30A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO251-3
Paquete / caja	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	IPS060N03LGAKMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3	Detalles
	IPS060N03LGBKMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO251-3	Detalles