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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › IPS05N03LA G
IPS05N03LA G

IPS05N03LA G - Infineon Technologies

Número de pieza
IPS05N03LA G
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
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Descargar hoja de datos en PDF
IPS05N03LA G.pdf
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
4295 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
Nuestro precio
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IPS05N03LA G Descripción detallada

Número de pieza IPS05N03LA G
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 50A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 50µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3110pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3 mOhm @ 30A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO251-3
Paquete / caja TO-251-3 Stub Leads, IPak
Peso -
País de origen -

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