IPP110N20N3GXKSA1 - Infineon Technologies

Número de pieza: IPP110N20N3GXKSA1
Fabricante: Infineon Technologies
Breve descripción: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 23157 pcs
Precio de referencia: USD 7.11/pcs
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Número de pieza	IPP110N20N3GXKSA1
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	88A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 88A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 270µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	87nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7100pF @ 100V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO220-3
Paquete / caja	TO-220-3
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
IPP110N20N3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3	Detalles
IPP110N20N3GXKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3	Detalles
IPP110N20NA	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3	Detalles
IPP110N20NAAKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3	Detalles