IPG16N10S4L61AATMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza: IPG16N10S4L61AATMA1
Fabricante: Infineon Technologies
Breve descripción: MOSFET 2N-CH 8TDSON
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos: IPG16N10S4L61AATMA1 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF: IPG16N10S4L61AATMA1.pdf
Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 68445 pcs
Precio de referencia: USD 0.3753/pcs
Nuestro precio: Enviar por correo electrónico: [email protected]

Número de pieza	IPG16N10S4L61AATMA1
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	61 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 90µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	845pF @ 25V
Potencia - Max	29W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	8-PowerVDFN
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-10
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
IPG16N10S461AATMA1	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 8TDSON	Detalles
IPG16N10S461ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 8TDSON	Detalles
IPG16N10S4L61AATMA1	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 8TDSON	Detalles