| Número de pieza | IPD65R250C6XTMA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 16.1A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 400µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 208.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 4.4A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO252-3 |
| Paquete / caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
|
IPD65R190C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13A TO-252 | Detalles |
|
IPD65R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-252 | Detalles |
|
IPD65R1K4C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | Detalles |
|
IPD65R1K4CFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252 | Detalles |
 |
IPD65R1K4CFDATMA2 | Infineon Technologies | LOW POWERLEGACY | Detalles |
|
IPD65R1K4CFDBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252 | Detalles |
|
IPD65R1K5CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO-252-3 | Detalles |
|
IPD65R225C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3 | Detalles |
|
IPD65R250C6XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252 | Detalles |
|
IPD65R250E6XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | Detalles |
