IPC50N04S5L5R5ATMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza: IPC50N04S5L5R5ATMA1
Fabricante: Infineon Technologies
Breve descripción: N-CHANNEL_30/40V
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 82673 pcs
Precio de referencia: USD 0.3092/pcs
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Número de pieza	IPC50N04S5L5R5ATMA1
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	50A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 13µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1209pF @ 25V
Vgs (Max)	±16V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5 mOhm @ 25A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-33
Paquete / caja	8-PowerTDFN
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	IPC50N04S55R8ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 50A 8TDFN	Detalles
	IPC50N04S5L5R5ATMA1	Infineon Technologies	N-CHANNEL_30/40V	Detalles