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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › IPB60R099C6
IPB60R099C6

IPB60R099C6 - Infineon Technologies

Número de pieza
IPB60R099C6
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
IPB60R099C6 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
8457 pcs
Precio de referencia
USD 3.1293/pcs
Nuestro precio
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IPB60R099C6 Descripción detallada

Número de pieza IPB60R099C6
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 37.9A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.21mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 119nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2660pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99 mOhm @ 18.1A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO263-2
Paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso -
País de origen -

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