| Número de pieza | IPB50R140CP |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 550V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 23A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 930µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2540pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 192W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 14A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO263-3-2 |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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IPB50CN10NG | I | IPB50CN10NG I TO263 New Original Stocks | Detalles |
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IPB50N10S3L16ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3 | Detalles |
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IPB50N12S3L15ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ | Detalles |
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IPB50R140CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 23A TO-263 | Detalles |
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IPB50R140CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 23A TO-263 | Detalles |
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IPB50R199CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 17A TO-263 | Detalles |
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IPB50R250CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 13A TO-263 | Detalles |
