| Número de pieza | IPB14N03LA |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 30A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1043pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 46W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.6 mOhm @ 30A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO263-3-2 |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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IPB100N04S204ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 | Detalles |
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IPB100N04S204ATMA4 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 | Detalles |
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IPB100N04S2L03ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 | Detalles |
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IPB100N04S2L03ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 | Detalles |
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IPB100N04S3-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 | Detalles |
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IPB100N04S303ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 | Detalles |
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IPB100N04S4H2ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2 | Detalles |
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IPB100N06S205ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 | Detalles |
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IPB100N06S205ATMA4 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 | Detalles |
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IPB100N06S2L05ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 | Detalles |
