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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › IPB107N20NA
IPB107N20NA

IPB107N20NA - Infineon Technologies

Número de pieza
IPB107N20NA
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
IPB107N20NA Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
5000 pcs
Precio de referencia
USD 4.2277/pcs
Nuestro precio
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IPB107N20NA Descripción detallada

Número de pieza IPB107N20NA
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 88A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 87nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7100pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.7 mOhm @ 88A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO263-3
Paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso -
País de origen -

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