IPA60R190C6XKSA1 Descripción detallada
Número de pieza |
IPA60R190C6XKSA1 |
Estado de la pieza |
Not For New Designs |
Tipo de FET |
N-Channel |
Tecnología |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
20.2A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
190 mOhm @ 9.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
3.5V @ 630µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
63nC @ 10V |
Vgs (Max) |
±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
1400pF @ 100V |
Característica FET |
- |
Disipación de potencia (Máx) |
34W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje |
Through Hole |
Paquete de dispositivo del proveedor |
PG-TO220-FP |
Paquete / caja |
TO-220-3 Full Pack |
Peso |
- |
País de origen |
- |
PRODUCTOS RELACIONADOS PARA IPA60R190C6XKSA1