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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › IPA50R190CE
IPA50R190CE

IPA50R190CE - Infineon Technologies

Número de pieza
IPA50R190CE
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
IPA50R190CE Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
3702 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
Nuestro precio
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IPA50R190CE Descripción detallada

Número de pieza IPA50R190CE
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 18.5A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 13V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 510µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 47.2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1137pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET Super Junction
Disipación de potencia (Máx) 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 6.2A, 13V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO-220-FP
Paquete / caja TO-220-3 Full Pack
Peso -
País de origen -

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