IAUT260N10S5N019ATMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza: IAUT260N10S5N019ATMA1
Fabricante: Infineon Technologies
Breve descripción: MOSFET75V120V
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 57325 pcs
Precio de referencia: USD 2.87216/pcs
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Número de pieza	IAUT260N10S5N019ATMA1
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	260A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 210µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	166nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	11830pF @ 50V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-HSOF-8-1
Paquete / caja	8-PowerSFN
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	IAUT260N10S5N019ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET75V120V	Detalles