FZ1800R12HP4B9HOSA2

FZ1800R12HP4B9HOSA2 - Infineon Technologies

Número de pieza
FZ1800R12HP4B9HOSA2
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
MODULE IGBT IHMB190-2
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - IGBT - Módulos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
177 pcs
Precio de referencia
USD 926.65/pcs
Nuestro precio
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FZ1800R12HP4B9HOSA2 Descripción detallada

Número de pieza FZ1800R12HP4B9HOSA2
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT Trench
Configuración Single Switch
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 2700A
Potencia - Max 10500W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 1800A
Corriente - corte de colector (máximo) 5mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 110nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja Module
Paquete de dispositivo del proveedor Module
Peso -
País de origen -

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