FZ1200R33KF2CNOSA1

FZ1200R33KF2CNOSA1 - Infineon Technologies

Número de pieza
FZ1200R33KF2CNOSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
MODULE IGBT A-IHV190-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - IGBT - Módulos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
75 pcs
Precio de referencia
USD 2134.44/pcs
Nuestro precio
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FZ1200R33KF2CNOSA1 Descripción detallada

Número de pieza FZ1200R33KF2CNOSA1
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT -
Configuración Full Bridge
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 3300V
Current - Collector (Ic) (Max) 2000A
Potencia - Max 14500W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4.25V @ 15V, 1200A
Corriente - corte de colector (máximo) 12mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 150nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 125°C
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja Module
Paquete de dispositivo del proveedor Module
Peso -
País de origen -

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