FP75R07N2E4B11BOSA1

FP75R07N2E4B11BOSA1 - Infineon Technologies

Número de pieza
FP75R07N2E4B11BOSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
IGBT MODULE VCES 600V 75A
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - IGBT - Módulos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
415 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
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FP75R07N2E4B11BOSA1 Descripción detallada

Número de pieza FP75R07N2E4B11BOSA1
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de IGBT Trench Field Stop
Configuración Three Phase Inverter
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 650V
Current - Collector (Ic) (Max) 75A
Potencia - Max -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 75A
Corriente - corte de colector (máximo) 1mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 4.6nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC Yes
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja Module
Paquete de dispositivo del proveedor Module
Peso -
País de origen -

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