DF200R12W1H3B27BOMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza: DF200R12W1H3B27BOMA1
Fabricante: Infineon Technologies
Breve descripción: IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - IGBT - Módulos
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 3185 pcs
Precio de referencia: USD 51.67958/pcs
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Número de pieza	DF200R12W1H3B27BOMA1
Estado de la pieza	Active
Tipo de IGBT	-
Configuración	2 Independent
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	1200V
Current - Collector (Ic) (Max)	30A
Potencia - Max	375W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	1.3V @ 15V, 30A
Corriente - corte de colector (máximo)	1mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce	2nF @ 25V
Entrada	Standard
Termistor NTC	Yes
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete / caja	Module
Paquete de dispositivo del proveedor	Module
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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