BSZ15DC02KDHXTMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza: BSZ15DC02KDHXTMA1
Fabricante: Infineon Technologies
Breve descripción: MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Código de fecha: New
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Precio de referencia: USD 0.4389/pcs
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Número de pieza	BSZ15DC02KDHXTMA1
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N and P-Channel Complementary
Característica FET	Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	5.1A, 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.4V @ 110µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	2.8nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	419pF @ 10V
Potencia - Max	2.5W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TSDSON-8-FL
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	BSZ15DC02KDHXTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON	Detalles