BSZ084N08NS5ATMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza: BSZ084N08NS5ATMA1
Fabricante: Infineon Technologies
Breve descripción: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos: BSZ084N08NS5ATMA1 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF: BSZ084N08NS5ATMA1.pdf
Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 49951 pcs
Precio de referencia: USD 0.5159/pcs
Nuestro precio: Enviar por correo electrónico: [email protected]

Número de pieza	BSZ084N08NS5ATMA1
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	40A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 31µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1820pF @ 40V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.4 mOhm @ 20A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TSDSON-8-FL
Paquete / caja	8-PowerTDFN
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	BSZ084N08NS5ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON	Detalles