BSF024N03LT3GXUMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza: BSF024N03LT3GXUMA1
Fabricante: Infineon Technologies
Breve descripción: MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza	BSF024N03LT3GXUMA1
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	15A (Ta), 106A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	71nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5500pF @ 15V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 mOhm @ 20A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paquete / caja	3-WDSON
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	BSF024N03LT3GXUMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON	Detalles