BSC097N06NSATMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza: BSC097N06NSATMA1
Fabricante: Infineon Technologies
Breve descripción: MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 25000 pcs
Precio de referencia: USD 0.3564/pcs
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Número de pieza	BSC097N06NSATMA1
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	46A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.3V @ 14µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1075pF @ 30V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	2.5W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.7 mOhm @ 40A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8
Paquete / caja	8-PowerTDFN
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	BSC097N06NSATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8	Detalles
	BSC097N06NSTATMA1	Infineon Technologies	DIFFERENTIATED MOSFETS	Detalles