BSC030N03LSGATMA1

BSC030N03LSGATMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza
BSC030N03LSGATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
50000 pcs
Precio de referencia
USD 0.4038/pcs
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BSC030N03LSGATMA1 Descripción detallada

Número de pieza BSC030N03LSGATMA1
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 23A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4300pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 mOhm @ 30A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TDSON-8
Paquete / caja 8-PowerTDFN
Peso -
País de origen -

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