BSC011N03LSATMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza: BSC011N03LSATMA1
Fabricante: Infineon Technologies
Breve descripción: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 209697 pcs
Precio de referencia: USD 0.78518/pcs
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Número de pieza	BSC011N03LSATMA1
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	37A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	72nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4700pF @ 15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	2.5W (Ta), 96W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8
Paquete / caja	8-PowerTDFN
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
BSC011N03LS	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON	Detalles
BSC011N03LSATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON	Detalles
BSC011N03LSI	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8	Detalles
BSC011N03LSIATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8	Detalles
BSC011N03LSTATMA1	Infineon Technologies	DIFFERENTIATED MOSFETS	Detalles