AIHD10N60RATMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza: AIHD10N60RATMA1
Fabricante: Infineon Technologies
Breve descripción: IC DISCRETE 600V TO252-3
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - IGBT - Simple
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 31630 pcs
Precio de referencia: USD 0.8186/pcs
Nuestro precio: Enviar por correo electrónico: [email protected]

Número de pieza	AIHD10N60RATMA1
Estado de la pieza	Active
Tipo de IGBT	Trench Field Stop
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	600V
Current - Collector (Ic) (Max)	20A
Corriente - colector pulsado (Icm)	30A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 10A
Potencia - Max	150W
Conmutación de energía	210µJ (on), 380µJ (off)
Tipo de entrada	Standard
Cargo de puerta	64nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C	14ns/192ns
Condición de prueba	400V, 10A, 23 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr)	-
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO252-3
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
AIHD10N60RATMA1	Infineon Technologies	IC DISCRETE 600V TO252-3	Detalles
AIHD10N60RFATMA1	Infineon Technologies	IC DISCRETE 600V TO252-3	Detalles
AIHD15N60RATMA1	Infineon Technologies	IC DISCRETE 600V TO252-3	Detalles
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