GP1M004A090FH - Global Power Technologies Group

Número de pieza: GP1M004A090FH
Fabricante: Global Power Technologies Group
Breve descripción: MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
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Número de pieza	GP1M004A090FH
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	900V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	955pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	38.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 2A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220F
Paquete / caja	TO-220-3 Full Pack
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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GP1M003A080CH	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 800V 3A DPAK	Detalles
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