| Número de pieza | GD5F4GQ4UBYIGR |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de memoria | Non-Volatile |
| Formato de memoria | FLASH |
| Tecnología | FLASH - NAND |
| Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
| Frecuencia de reloj | 120MHz |
| Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página | - |
| Tiempo de acceso | - |
| interfaz de memoria | SPI - Quad I/O |
| Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 8-WDFN Exposed Pad |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-WSON (6x8) |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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GD5F4GQ4RBYIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | Detalles |
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GD5F4GQ4RBYIGY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | Detalles |
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GD5F4GQ4RCYIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | Detalles |
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GD5F4GQ4RCYIGY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | Detalles |
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GD5F4GQ4UBYIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | Detalles |
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GD5F4GQ4UBYIGY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | Detalles |
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GD5F4GQ4UCYIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | Detalles |
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GD5F4GQ4UCYIGY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | Detalles |
