GD25VQ80CTIG - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Número de pieza	GD25VQ80CTIG
Estado de la pieza	Active
Tipo de memoria	Non-Volatile
Formato de memoria	FLASH
Tecnología	FLASH - NOR
Tamaño de la memoria	8Mb (1M x 8)
Frecuencia de reloj	104MHz
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página	50µs, 3ms
Tiempo de acceso	-
interfaz de memoria	SPI - Quad I/O
Suministro de voltaje	2.3V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SOP
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
GD25-15P-NF	Laird Technologies IAS	ANT GRID 15DBI 2.5-2.7G 30" NFEM	Detalles
GD25-15P-NM	Laird Technologies IAS	ANT GRID 15DBI 2.5-2.7G 30"NMALE	Detalles
GD25-19P-NF	Laird Technologies IAS	ANT GRID 19DBI 2.5-2.7G 30" NFEM	Detalles
GD25-19P-NM	Laird Technologies IAS	ANT GRID 19DBI 2.5-2.7G 30"NMALE	Detalles
GD25-24P-NF	Laird Technologies IAS	ANT GRID 24DBI 2.5-2.7G 30" NFEM	Detalles
GD25-24P-NM	Laird Technologies IAS	ANT GRID 24DBI 2.5-2.7G 30"NMALE	Detalles
GD25D05CEIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	Detalles
GD25D05CKIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	512KBIT3.3VSPIUSON8 1.5X1.5X0.45	Detalles
GD25D05CTIG	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	Detalles
GD25D05CTIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	Detalles