GD25S512MDBIGY

GD25S512MDBIGY - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Número de pieza
GD25S512MDBIGY
Fabricante
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Breve descripción
NOR FLASH
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
GD25S512MDBIGY Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Memoria
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
33655 pcs
Precio de referencia
USD 5.43935/pcs
Nuestro precio
Enviar por correo electrónico: [email protected]

Por favor complete el siguiente formulario para solicitar un presupuesto para GD25S512MDBIGY

GD25S512MDBIGY Descripción detallada

Número de pieza GD25S512MDBIGY
Estado de la pieza Active
Tipo de memoria Non-Volatile
Formato de memoria FLASH
Tecnología FLASH - NOR
Tamaño de la memoria 512Mb (64M x 8)
Frecuencia de reloj 104MHz
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página 50µs, 2.4ms
Tiempo de acceso -
interfaz de memoria SPI - Quad I/O
Suministro de voltaje 2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 24-TBGA
Paquete de dispositivo del proveedor 24-TFBGA (6x8)
Peso -
País de origen -

PRODUCTOS RELACIONADOS PARA GD25S512MDBIGY