| Número de pieza | GD25Q16CWIGR |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de memoria | Non-Volatile |
| Formato de memoria | FLASH |
| Tecnología | FLASH - NOR |
| Tamaño de la memoria | 16Mb (2M x 8) |
| Frecuencia de reloj | 120MHz |
| Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página | 50µs, 2.4ms |
| Tiempo de acceso | - |
| interfaz de memoria | SPI - Quad I/O |
| Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 8-WDFN Exposed Pad |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-WSON (5x6) |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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GD25-15P-NF | Laird Technologies IAS | ANT GRID 15DBI 2.5-2.7G 30" NFEM | Detalles |
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GD25-15P-NM | Laird Technologies IAS | ANT GRID 15DBI 2.5-2.7G 30"NMALE | Detalles |
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GD25-19P-NF | Laird Technologies IAS | ANT GRID 19DBI 2.5-2.7G 30" NFEM | Detalles |
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GD25-19P-NM | Laird Technologies IAS | ANT GRID 19DBI 2.5-2.7G 30"NMALE | Detalles |
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GD25-24P-NF | Laird Technologies IAS | ANT GRID 24DBI 2.5-2.7G 30" NFEM | Detalles |
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GD25-24P-NM | Laird Technologies IAS | ANT GRID 24DBI 2.5-2.7G 30"NMALE | Detalles |
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GD25D05CEIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | NOR FLASH | Detalles |
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GD25D05CKIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 512KBIT3.3VSPIUSON8 1.5X1.5X0.45 | Detalles |
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GD25D05CTIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | NOR FLASH | Detalles |
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GD25D05CTIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | NOR FLASH | Detalles |
