S12JR - GeneSiC Semiconductor

Número de pieza	S12JR
Estado de la pieza	Active
Tipo de diodo	Standard, Reverse Polarity
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max)	600V
Corriente - promedio rectificado (Io)	12A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si	1.1V @ 12A
Velocidad	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)	-
Current - Reverse Leakage @ Vr	10µA @ 50V
Capacitancia @ Vr, F	-
Tipo de montaje	Chassis, Stud Mount
Paquete / caja	DO-203AA, DO-4, Stud
Paquete de dispositivo del proveedor	DO-4
Temperatura de funcionamiento - unión	-65°C ~ 175°C
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
S1	Sensata Technologies/Airpax	CONTACT BLOCK SPST-NO 3A	Detalles
S1-0009	EXSHINE	HIGH LINEARITY POSITION SENSING DETECTOR	Detalles
S1-0504	Cynergy 3	RELAY REED 4KV SPST 5V SIP	Detalles
S1-0504D	Cynergy 3	RELAY REED 4KV SPST 5V SIP W/DIO	Detalles
S1-0504DM	Cynergy 3	RELAY REED 4KV SPST 5V SIP W/DIO	Detalles
S1-0504M	Cynergy 3	RELAY REED 4KV SPST 5V SIP SCREE	Detalles
S1-0R015F2	Riedon	RES SMD 0.015 OHM 1% 1/2W 1913	Detalles
S1-0R015J8	Riedon	RES SMD 0.015 OHM 5% 1/2W 1913	Detalles
S1-0R01F2	Riedon	RES SMD 0.01 OHM 1% 1/2W 1913	Detalles
S1-0R01J8	Riedon	RES SMD 0.01 OHM 5% 1/2W 1913	Detalles