MSRT200100(A)D - GeneSiC Semiconductor

Número de pieza: MSRT200100(A)D
Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Breve descripción: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Diodos - Rectificadores - Arreglos
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 463 pcs
Precio de referencia: USD 55.8352/pcs
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Número de pieza	MSRT200100(A)D
Estado de la pieza	Active
Configuración de Diodo	1 Pair Series Connection
Tipo de diodo	Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max)	1000V
Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo)	200A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si	1.1V @ 200A
Velocidad	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)	-
Current - Reverse Leakage @ Vr	10µA @ 1000V
Temperatura de funcionamiento - unión	-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete / caja	Three Tower
Paquete de dispositivo del proveedor	Three Tower
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
MSRT200100(A)	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 1KV 200A 3TOWER	Detalles
MSRT200100(A)D	GeneSiC Semiconductor	DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER	Detalles
MSRT200120(A)	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 1.2KV 200A 3TOWER	Detalles
MSRT200120(A)D	GeneSiC Semiconductor	DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER	Detalles
MSRT200140(A)	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 1.4KV 200A 3TOWER	Detalles
MSRT200140(A)D	GeneSiC Semiconductor	DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER	Detalles
MSRT200160(A)	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER	Detalles
MSRT200160(A)D	GeneSiC Semiconductor	DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER	Detalles
MSRT20060(A)	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER	Detalles
MSRT20060(A)D	GeneSiC Semiconductor	DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER	Detalles