| Número de pieza | MBRTA60030L |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Configuración de Diodo | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo de diodo | Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
| Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo) | 300A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 580mV @ 300A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1mA @ 30V |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | Three Tower |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Three Tower |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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MBRT120100 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 120A 3TOWER | Detalles |
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MBRT12030 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 30V 120A 3TOWER | Detalles |
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MBRT12030R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 30V 120A 3TOWER | Detalles |
