MBR60035CTRL

MBR60035CTRL - GeneSiC Semiconductor

Número de pieza
MBR60035CTRL
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Breve descripción
DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Diodos - Rectificadores
- Arreglos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
4261 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
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MBR60035CTRL Descripción detallada

Número de pieza MBR60035CTRL
Estado de la pieza Active
Configuración de Diodo 1 Pair Common Anode
Tipo de diodo Schottky
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) 35V
Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo) 300A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 600mV @ 300A
Velocidad Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr) -
Current - Reverse Leakage @ Vr 3mA @ 35V
Temperatura de funcionamiento - unión -55°C ~ 150°C
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja Twin Tower
Paquete de dispositivo del proveedor Twin Tower
Peso -
País de origen -

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