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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Diodos - Rectificadores
- Simple › 1N8032-GA
1N8032-GA

1N8032-GA - GeneSiC Semiconductor

Número de pieza
1N8032-GA
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Breve descripción
DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
1N8032-GA Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
1N8032-GA.pdf
Categoría
Diodos - Rectificadores
- Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
10 pcs
Precio de referencia
USD 181.6/pcs
Nuestro precio
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1N8032-GA Descripción detallada

Número de pieza 1N8032-GA
Estado de la pieza Active
Tipo de diodo Silicon Carbide Schottky
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) 650V
Corriente - promedio rectificado (Io) 2.5A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 1.3V @ 2.5A
Velocidad No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr) 0ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 5µA @ 650V
Capacitancia @ Vr, F 274pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / caja TO-257-3
Paquete de dispositivo del proveedor TO-257
Temperatura de funcionamiento - unión -55°C ~ 250°C
Peso -
País de origen -

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