• España
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Diodos - Rectificadores
- Simple › 1N5831
1N5831

1N5831 - GeneSiC Semiconductor

Número de pieza
1N5831
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Breve descripción
DIODE SCHOTTKY 35V 25A DO4
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
1N5831 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
1N5831.pdf
Categoría
Diodos - Rectificadores
- Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
1997 pcs
Precio de referencia
USD 13.1608/pcs
Nuestro precio
Enviar por correo electrónico: [email protected]

Por favor complete el siguiente formulario para solicitar un presupuesto para 1N5831

1N5831 Descripción detallada

Número de pieza 1N5831
Estado de la pieza Active
Tipo de diodo Schottky
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) 35V
Corriente - promedio rectificado (Io) 25A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 580mV @ 25A
Velocidad Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr) -
Current - Reverse Leakage @ Vr 2mA @ 20V
Capacitancia @ Vr, F -
Tipo de montaje Chassis, Stud Mount
Paquete / caja DO-203AA, DO-4, Stud
Paquete de dispositivo del proveedor DO-4
Temperatura de funcionamiento - unión -55°C ~ 150°C
Peso -
País de origen -

PRODUCTOS RELACIONADOS PARA 1N5831

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
1N-SS119 1N-SS119 SEMTECH_ELEC SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE Detalles
1N-SS254 1N-SS254 SEMTECH Packing Specification of 52mm Ammo Pack Detalles
1N102 1N102 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Detalles
1N103 1N103 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Detalles
1N104 1N104 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Detalles
1N107 1N107 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Detalles
1N108 1N108 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Detalles
1N1081 1N1081 EXSHINE 1N1081 Detalles
1N1081A 1N1081A EXSHINE 1N1081 Detalles
1N1082 1N1082 EXSHINE 1N1081 Detalles