IRLW510ATM Descripción detallada
| Número de pieza |
IRLW510ATM |
| Estado de la pieza |
Obsolete |
| Tipo de FET |
N-Channel |
| Tecnología |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
5.6A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) |
5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
8nC @ 5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
235pF @ 25V |
| Vgs (Max) |
±20V |
| Característica FET |
- |
| Disipación de potencia (Máx) |
3.8W (Ta), 37W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
440 mOhm @ 2.8A, 5V |
| Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje |
Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor |
I2PAK |
| Paquete / caja |
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Peso |
- |
| País de origen |
- |
PRODUCTOS RELACIONADOS PARA IRLW510ATM
