IRF630B_FP001

IRF630B_FP001 - Fairchild/ON Semiconductor

Número de pieza
IRF630B_FP001
Fabricante
Fairchild/ON Semiconductor
Breve descripción
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
IRF630B_FP001 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
IRF630B_FP001.pdf
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
4262 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
Nuestro precio
Enviar por correo electrónico: [email protected]

Por favor complete el siguiente formulario para solicitar un presupuesto para IRF630B_FP001

IRF630B_FP001 Descripción detallada

Número de pieza IRF630B_FP001
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 9A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 72W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 4.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / caja TO-220-3
Peso -
País de origen -

PRODUCTOS RELACIONADOS PARA IRF630B_FP001