HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A - Fairchild/ON Semiconductor

Número de pieza
HGTD1N120BNS9A
Fabricante
Fairchild/ON Semiconductor
Breve descripción
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - IGBT - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
12500 pcs
Precio de referencia
USD 0.6608/pcs
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HGTD1N120BNS9A Descripción detallada

Número de pieza HGTD1N120BNS9A
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT NPT
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 5.3A
Corriente - colector pulsado (Icm) 6A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 1A
Potencia - Max 60W
Conmutación de energía 70µJ (on), 90µJ (off)
Tipo de entrada Standard
Cargo de puerta 14nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C 15ns/67ns
Condición de prueba 960V, 1A, 82 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr) -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor TO-252AA
Peso -
País de origen -

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