| Número de pieza | FDI040N06 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 120A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 133nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8235pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 231W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 75A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | I2PAK (TO-262) |
| Paquete / caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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FDI045N10A_F102 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3 | Detalles |
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