FDC3512_F095 - Fairchild/ON Semiconductor

Número de pieza	FDC3512_F095
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	634pF @ 40V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	77 mOhm @ 3A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SuperSOT™-6
Paquete / caja	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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